二代 10 纳米准备就绪,三星宣誓扩大抢单

作者 | 发布日期 2017 年 04 月 20 日 12:00 | 分类 Samsung , 芯片 , 零组件
Samsung-Exynos-9

三星周四宣布,第二代 10 纳米 FinFET 制程已经开发完成,未来争取 10 纳米产品代工订单将如虎添翼。

三星第一代 10 纳米制程于去年 10 月领先同业导入量产,目前的三星 Exynos 9 与高通骁龙 835 处理器均是以第一代 10 纳米制程生产。

据三星表示,第二代 10 纳米 FinFET 制程与第一代做比较,运算效能提升 10%,用电效率则提高 15%。(koreaherald.com)

三星为确保 10 纳米制程长期供货稳定,其位在首尔西南方华城市的最新晶圆厂已增添新设备,预计第四季可就定位开始生产。

虽然三星未透露第二代 10 纳米制程的客户,但预料高通下一版骁龙系列处理器应该会采用。除此之外,三星还计划推广晶圆代工业务至更多领域,当中包含穿戴式设备、物联网与网络芯片等。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:三星

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