三星抢进 6 纳米制程,二代 10 纳米年底量产

作者 | 发布日期 2017 年 03 月 16 日 17:15 | 分类 Samsung , 芯片 , 零组件
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三星电子野心勃勃,全力抢攻晶圆代工业务,该公司宣布第二、三代 10 纳米制程量产时间,并表示未来将增加 8 纳米和 6 纳米制程,呛声台积电意味浓厚。

三星电子 15 日新闻稿,三星电子 10 纳米 FinFET 制程良率稳定,能及时满足客户需求,增产情况顺利。三星第一代 10 纳米制程 LPE(Low Power Early、10LPE),于去年 10 月量产,已经出货 7 万组矽晶圆。

三星电子晶圆代工主管 Jongshik Yoon 说,10LPE 之后,第二代 10 纳米制程 LPP“10LPP”将在今年底量产。第三代 10 纳米制程 LPU“10LPU”明年量产,将持续提供业界最具竞争力的制程技术。

与此同时,三星表示,发展路径图增加了 8 纳米和 6 纳米制程,效能和功耗都表现更佳,承继 10 纳米和 7 纳米的创新技术,更具成本竞争力。三星将在 5 月 24 日召开“美国三星晶圆代工论坛”(US Samsung Foundry Forum),届时会提供更多细节。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载)

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